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Samsung
Samsung 970 EVO PLUS 250 GB SSD
Product SKU: MZ-V7S250BW
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- 970 EVO Plus » 250 GB
- Lesen bis zu 3.500 MB/s
- Schreiben bis 3.200 MB/s
- PCIe Gen 3.0 x 4 und NVMe™ 1.3 SSD
- 5 Jahre Herstellergarantie
So wird hohe Leistung noch gesteigert. Die mit modernster V-NAND-Technologie ausgestattete 970 EVO Plus ist noch schneller als die 970 EVO und verfügt zudem über eine Firmware-Optimierung. Damit reizt sie das Potential der PCIe-Schnittstelle und
des NVMe Protokolls für noch schnellere Zugriffszeiten voll aus.
| Allgemein | |
|---|---|
| Hersteller | Samsung |
| Herst. Art. Nr. | MZ-V7S250BW |
| EAN | 0887276302515, 8801643628079 |
| Hauptmerkmale | |
|---|---|
| Produktbeschreibung | Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S250BW - Solid-State-Disk - 250 GB - PCI Express 3. 0 x4 (NVMe) |
| Typ | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 250 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) |
| Formfaktor | M. 2 2280 |
| Schnittstelle | PCI Express 3. 0 x4 (NVMe) |
| Puffergrösse | 512 MB |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1. 3, Samsung Phoenix Controller, S. M. A. R. T. |
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) | 22. 15 mm x 80. 15 mm x 2. 38 mm |
| Gewicht | 8 g |
| Allgemein | |
|---|---|
| Gerätetyp | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 250 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) |
| Formfaktor | M. 2 2280 |
| Schnittstelle | PCI Express 3. 0 x4 (NVMe) |
| Puffergröße | 512 MB |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1. 3, Samsung Phoenix Controller, S. M. A. R. T. |
| Breite | 22. 15 mm |
| Tiefe | 80. 15 mm |
| Höhe | 2. 38 mm |
| Gewicht | 8 g |
| Leistung | |
|---|---|
| SSD-Leistung | 150 TB |
| Interner Datendurchsatz | 3500 MBps (lesen)/ 2300 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 17000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 60000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Write | 550000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 250000 IOPS |
| Zuverlässigkeit | |
|---|---|
| MTBF | 1, 500, 000 Stunden |
| Erweiterung und Konnektivität | |
|---|---|
| Schnittstellen | PCI Express 3. 0 x4 (NVMe) - M. 2 Card |
| Kompatibles Schaltfeld | M. 2 2280 |
| Stromversorgung | |
|---|---|
| Energieverbrauch | 5 Watt (Durchschnitt) ¦ 8 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum) |
| Verschiedenes | |
|---|---|
| Kennzeichnung | IEEE 1667 |
| Umgebungsbedingungen | |
|---|---|
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Schocktoleranz (in Betrieb) | 1500 g @ 0, 5 ms Sinushalbwellen |
